하이닉스 반도체, 30나노급 4기가비트 DDR3 D램 개발 테크당(黨)

-하이닉스 반도체의 30나노급 4기가비트 DDR3 D램 (출처 : 여기)-


29일자 홍보자료로 하이닉스 반도체는 30나노급 기술을 적용, 4기가비트 DDR3 D램을 개발했다 합니다. 또한, 30나노급 2기가비트 DDR3 D램에 대한 개발역시 로드맵 대로 마무리 한 후 내년 1분기에 양산을 계획 중이라 하는 군요.
이번에 새로이 개발된 30나노급 D램은 기존에 있던 40나노급 D램에 비해 생산성이 70% 가까이 향상되어 원가 절감을 도모할 수 있다고 합니다. 그리고 최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현, 기존 제품대비 처리속도가 60% 가량 향상되었다고 밝히고 있네요. 2133Mbps의 데이터 전송속도는 4.2기가바이트의 데이터를 1초내에 처리할 수 있는 속도라고 합니다.
그리고 새로이 개발된 제품은 서버용의 경우 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용함으로써 기존 40나노급 2기가비트 제품보다 60% 이상 전력소모량의 감소가 가능하다고 합니다.
더욱 자세한 내용은 하이닉스 반도체의 홈페이지의 여기로 들어가시면 확인 하실 수 있으실 겁니다.








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